技術(shù)原理

低頻電磁檢測技術(shù)LFET(Low Frequency Electromagnetic Technique)使用離散的激勵(lì)和接收傳感器線圈,激勵(lì)線圈在較低的頻率(<10Hz)下激發(fā)產(chǎn)生一個(gè)交變電磁場,并穿透被測材料,從其一側(cè)傳導(dǎo)到另一側(cè)。在沒有壁厚減薄和缺陷的地方,電磁場產(chǎn)生一定信號(hào)強(qiáng)度衰減,如圖1所示;當(dāng)探頭移動(dòng)到有壁厚減薄和缺陷的地方時(shí),可以檢測到一個(gè)較強(qiáng)的電磁場信號(hào),如圖2所示。

  電磁成像技術(shù)

缺陷是有體積形狀的,尤其是壁厚的減薄必須要用三維參量描述其變化。低頻電磁檢測發(fā)展了相位分辨技術(shù),在信號(hào)的分析和處理中采用了相位分析、頻率分析和幅值鑒別等多種方法,能夠?qū)﹄姶判盘?hào)的幅度、相位變化進(jìn)行分析處理;

同時(shí)研發(fā)出了電磁三維成像技術(shù),根據(jù)缺陷產(chǎn)生機(jī)理研究出相應(yīng)信息處理技術(shù)和顯示手段,從而得出更可靠的缺陷信息,可以直接分辨出壁厚減薄、點(diǎn)蝕。另外其獨(dú)有的3D旋轉(zhuǎn)顯示技術(shù),可以直觀地發(fā)現(xiàn)缺陷的位置。